Wie Aluminiumoxid, Siliziumkarbid und Aluminiumnitrid die Waferverarbeitung der nächsten Generation unterstützen Hochleistungskeramiken sind zu einer zentralen technischen Voraussetzung für Hersteller von Halbleiteranlagen geworden, die unter extremen Prozessbedingungen eine stabile Leistung gewährleisten müssen. Während sich die Strukturgrößen in der Halbleiterfertigung der 2-nm-Marke nähern und KI-Architekturen höhere thermische Anforderungen mit sich bringen, müssen keramische Komponenten Plasmaeinwirkung, aggressiven Chemikalien, Hochvakuum und schnellen Temperaturwechseln standhalten und gleichzeitig eine hohe Maßhaltigkeit gewährleisten. Warum Hochleistungskeramiken in […]



